중립
웨이비스, 방산용 RF GaN 칩 개발에 주가 급등
2026.09.15
반도체 · 방산
웨이비스, L-SAM용 핵심 RF GaN 칩 국산화 개발 착수
09:02 발행
- RF GaN 반도체 전문기업 웨이비스가 L-SAM 다기능레이더에 적용되는 S대역 고출력 RF GaN HEMT 칩 국산화 개발을 본격화한다고 밝혔습니다.
- 웨이비스는 국방기술진흥연구소와 착수회의를 열어 개발 범위와 단계별 시험·검증 계획을 구체화하며 해외 의존 부품의 국내 공급 기반 확보를 추진합니다.
- 개발 완료 후 L-SAM 유지·보수 부품 수요에 우선 대응하고, 국산화 인증을 거쳐 후속 양산 및 유사 무기체계 적용 범위를 확대할 예정입니다.
